摘要：一种声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，属于声表面波器件的光刻技术。本发明当铝膜厚度（μm）与声表面波器件的声波长（m/s）之比大于10％时，将经过涂光刻胶和曝光处理后的晶片进行预烘烤和提高温度的第二次烘烤。增加烘烤工序可以使得在湿法刻蚀的溶液温度较高时光刻胶不易熔化，使其既满足了铝膜厚且占空比大的设计要求，又增强了光←刻胶的性能，从而保证了铝膜的线条宽度。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京中讯四方科技股份有限公司;
- 发明人董启明;
- 地址100194 北京市海淀区苏家坨镇聂各庄路7号
- 申请号CN201210495452.2
- 申请时间2012年11月28日
- 申请公布号CN102978621A
- 申请公布时间2013年03月20日
- 分类号C23F1/02(2006.01)I;G03F7/38(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I;
