摘要：本发明公开了一种可消除硅偏聚的铝合金真空焊接方法：（1）预热：将待焊接铝合金与铝硅系钎料组装完毕后零件置于真空钎焊炉内，以8～10℃/S的升温速度加热至200～300℃，保温20-40min，真空度>5×10-2Pa；（2）破膜：以6～9℃/S的升温速度加热至530-550℃，保温20～40min，真空度>5×10-3Pa；（3）焊接：以小于5℃/S的升温速度加热至600～620℃，保温60～90min，真空度>3×10-3Pa；（4）冷却：焊接好的零件随炉降温至520-540℃，取出空冷至室温。通过控制真空钎焊的工№艺参数大幅度减少甚至避免了硅偏聚现象的产生，提高了铝合金产品焊缝╱的组织均匀性。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人赵飞;陈召松;梁益龙;张占铃;
- 地址550003 贵州省贵阳市蔡家关贵州大学科技处
- 申请号CN201110212478.7
- 申请时间2011年07月28日
- 申请』公布号CN102248242B
- 申请公布时间2013年04月10日
- 分类号B23K1/008(2006.01)I;
