摘要：本发明公开了一种软开关机电路，包括：P沟道MOSFET，其源极与外部供电电源连接，栅极通过第一电阻与外部供电电源连接，漏极与系统电源连接；N沟道MOSFET，其源极接地，栅极通过第二电阻接地，漏极与P沟道MOSFET的栅⌒极连接；隔离部件，其第一极与P沟道MOSFET的栅极连接，第二极通过第四电阻与系统电源连接，第三极通过电源键接地；输入I/O口，与隔离部件的第二极连∑ 接；输出I/O口，通过第三电阻与N沟道MOSFET的栅极连接，本发明开/关机控制流程为：检测输入I/O口是否为∞低电平，若为高则程①序结束，若为低则将输出I/O口置为♀高电平或低电平。借此，本发明保证系统关机后彻底切断电源，无Ψ待机电流。
- 专利类型发明专利
- 申请人康佳集团股份有限公司;
- 发明人白延召;
- 地址518031 广东省深圳市南山区华侨城
- 申请号CN201010142429.6
- 申请时间2010年04月01日
- 申请公布【号CN102213993A
- 申请公布时间2011年10月12日
- 分类号G06F1/32(2006.01)I;H02H3/027(2006.01)I;
