摘要：本发明提供一种硅麦克风的制造方法，该方法通过湿法蚀刻从单晶硅基板的离子注入层直接蚀刻出硅〓麦克风的振动膜。在蚀刻振动膜的过程中，基于电化学的原理，基板中的N(或P)型离子注入层施加一相应的正(或负)电压，从而使蚀刻停止在离子注入层与基板的界面处。所形成的单晶硅振动膜没有内应力且机械性能很好。另外，还可以在单晶硅振动膜中形成褶皱形状，从而提高振动膜的灵敏度。
- 专利类型发明专利
- 申请人无锡海森诺科技有限公司;
- 发明人吴华强;吴广华;
- 地址214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区芙蓉中三路99号
- 申请号CN200910162883.5
- 申请时间2009年08月11日
- 申请公布号CN101931852B
- 申请公布时间2012年10月03日
- 分类号H04R31/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;
