摘要：本发明公开了一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法，在一硅晶片衬底的两面上分别沉积一层低应力氮化硅薄膜，利用一掩膜板将氮化硅窗口图形转移至之相应的覆盖在一氮化硅薄膜上的↑光刻胶上，并形成光刻胶的被曝光显影的光刻开口区、及未曝光显影的非光刻区，通过光刻开口区刻蚀该氮化硅薄膜并暴露硅晶片衬底，在硅晶片衬底上刻蚀出氮化硅窗口图形沟槽，并在氮化硅窗口图形沟槽的底部与另一层氮化硅薄膜之间形成一层硅残留层，最后利用湿法刻蚀移除硅残留层。本发明使得氮化硅薄膜窗口的损伤减少并更加规则，可以任意调节硅衬底的厚度，缩短成品的制作周期时间，提高了成品率和生产效益。
- 专利类型发明专利
- 申请人上海纳腾仪器有限公司;
- 发明人侯克玉;贺周同;
- 地址201616 上海市松江区小昆山镇秦安街18号A区3号房H座
- 申请号CN201010167751.4
- 申请时间2010年05月06日
- 申╳请公布号CN101845618A
- 申请公布时间2010年09月29日
- 分类号C23C16/34(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I;G21K7/00(2006.01)I;
