摘要：本发明☉公开了一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法。它通◇过多次真空浸渍含碳化硅微粉和聚碳硅烷的浆料，使普通再结晶碳化硅制品的开口气孔大部分被填〖充。聚碳硅烷在高温下裂解并形成碳化硅结晶，保持了再结晶碳化硅制品高纯度的特点。用该方法制备的高密度再结晶碳化硅制品的体积密度为2.85～2.95g/cm3，开口气孔率3～5％，室温抗弯强度为110～130MPa，1400℃的ζ高温抗弯强度为130～150MPa；还显著提高了制品的高温抗氧化能力，延长了使用寿命，可望扩大其作为高◆温结构材料的应用范围。
- 专利类型发明专利
- 申请人湖南大学;
- 发明人肖汉宁;郭文明;高朋召;
- 地址410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门
- 申请号CN201010114721.7
- 申请时间2010年02月26日
- 申请∴公布号CN101823884A
- 申请公布时间2010年09月08日
- 分类号C04B35/622(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;
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