摘要：本发明提供一种立方碳化硅制作硅碳棒☉冷端部的方法，包括以下步骤：向立〒方碳化硅中加入粘合剂挤压成型，然后进行素烧处理，形成素制品；将素制品用掩埋料掩埋，然后在1700～2000℃下进行高温渗硅和硅化，同时通入保护气体进行保护，经过1.5～2.5小时后完成素制品的渗硅和硅化处理，即得硅碳棒冷端部成品。本发明采用立方碳化硅制备硅碳棒冷端部的方法能显著降低冷端部的电阻率，且成品率高，生产成本低，生产时间短，工艺可控性提高，具有较高的经济效益和社↙会效益。
- 专利类型发明专利
- 申请人郑州嵩山电热元件有限公司;
- 发明人杨学好;郑国军;陈玉西;
- 地址455000 河南省登封市三里庄高新「技术工业园区
- 申请号CN200810231186.6
- 申请时间2008年12月03日
- 申请公布号CN101747043B
- 申请公◣布时间2012年06月27日
- 分类号H05B3/14(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;
