摘要：本发◆明公开了一种低电压缓启动电路，包括晶体管MOS1和控制回路，所述晶体∑管MOS1为N-channel MosFET，晶体管MOS1的漏极接主输入电压Vin1，晶体管MOS1的源极接输出电压Vout，晶体管MOS1的栅极接控制回路，控制回路的另一端与辅助输入电压Vin2相连，由于采用了有差值且差值大于晶体管MOS1的阈值电压的两路输入电压Vin1和Vin2，使ξ得晶体管MOS1能够正常导通，又由于控制回路』控制晶体管MOS1的导通时间，并使※输出电压平滑上升，从而实现低电压缓启动和时序控制的功能，同时也解决了输出电压出现打嗝现象的问题。
- 专利类型发明专利
- 申请人广东威☆创视讯科技股份有限公司;
- 发明人梁红涛;赖增茀;郑维;
- 地址510663 广东省广州市广州高新技术产业开发区彩频㊣ 路6号
- 申请号CN200910194277.1
- 申请时间2009年12月01日
- 申请公布号CN101739112A
- 申请公布时间2010年06月16日
- 分类号G06F1/30(2006.01)I;
