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                教育装备∞采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN101339906A
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明公开了一种新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺，涉及一种Fe－Si化合物，首先采用磁控溅射方法在Si基片『上沉积一层厚度50－150nm的金属Fe膜，随后在真空退火炉中880－920℃退火12－18小时获得Fe－Si化合物中的半导体相β－FeSi2薄膜，由于采用直流磁控溅射方法，使沉积在Si基片上的Fe膜厚度均匀、工艺简单、成本低，易于制备大面积β－FeSi2薄膜，易于工业化生产，又由于退火时间和温度能严格控制，产品质↑量稳定，重现性好。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人贵州大学;
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                • 发明人谢泉;张晋敏;曾武贤;梁艳;肖清泉;
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                • 地址550025贵州省贵阳市花溪区贵州大学北校区科技处
                  • 
                        
                • 申请号CN200810068861.8
                  • 
                        
                • 申请时间2008年08月12日
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                • 申⌒请公布号CN101339906A
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                • 申请公布时间2009年01月07日
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                • 分类号H01L21/363(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L33/00(2006.01);
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