摘要：本发明提供了一种经硼先驱薄膜实现二硼化镁超导薄膜布图布线方法及装置，它在硼先驱薄膜上做PI屏蔽膜，经涂覆PI膜、预固化、匀光刻胶膜、腐蚀PI膜、PI膜固化热处理及腐蚀硼薄膜的处理后得到图形转◎移到硼薄膜上的样品，该样品再和少量的镁放入密封的钽坩埚中，在高＠纯氩气中高温退火，实现在二硼化镁超导薄膜上布图布线的目的。本发明〓提供的通过硼先驱膜的布图布线实现二硼化镁超导薄膜布图布线的方法，可与微〓电子制造工艺中的光刻技术完全兼容，不会增加生产设备和成本，该方法实施的工艺原理←简单，容易操作，成本低廉；能够精确的控制图形的尺寸，非常适合于工业化大规模生产，对于实现MgB 2超导薄膜的实际应用有重大的意义。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人傅兴华;杨发顺;周章渝;
- 地址550025 贵州省贵阳市花溪区
- 申请号CN200810300269.6
- 申请时间2008年01月30日
- 申ξ 请公布号CN101226985B
- 申请公布时间2010年06月02日
- 分类号H01L39/24(2006.01)I;
