摘要：一↑种采用标准CMOS逻辑工艺实现高耐压的整流器，其特征是由电容(C1)-电容(C4)、NMOS晶体管(T1)-NMOS晶体管(T4)、电阻(RL)等构成；本发』明通过在整流器所使用的晶体管的栅极上串联电容或类电容结构的器件来分压加至在晶体管的栅极上的电压，用于集成基于采用标准CMOS逻辑工艺实现的不挥发型〓的存储器的RFID电子标签/智能卡芯片的实现。采用本发明整流器，有助于集成〓基于采用标准CMOS逻辑工艺实现的不挥发型的存储器，并有助于降▃低RFID电子标签/智能卡芯片的制造和工艺成本。
- 专利类型发明专利
- 申请人四川凯路威电子有限公司;
- 发明人王兼明;毛军华;巫向东;
- 地址621000四川省绵阳市高新区绵兴东路96号1楼
- 申请号CN200610021583.1
- 申请时间2006年08月11日
- 申请公布号CN100553098C
- 申请公布时间2009年10月21日
- 分类号H02M7/217(2006.01)I;H02M7/219(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;
