摘要：本发明公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工方法及装置。该方法采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和-θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片表面下方，将加工平面沿着槽线∮方向平移，两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本发明具有能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京国科世纪激光技术有限公司;
- 发明人樊仲维;裴博;边强;赵剑波;石朝晖;崔建丰;张晶;牛岗;王裴峰;
- 地址100080北京市海淀区上地四街1号
- 申请号CN200510090092.8
- 申请时间2005年08月12日
- 申请公布号CN100551602C
- 申请公布时间2009年10月21日
- 分类号B23K26/36(2006.01)I;B23K26/067(2006.01)I;B23K26/06(2006.01)I;
