摘要：一种高温超导覆膜导体及其制备方法，具体涉及一种采用离子束辅助沉积(IBAD)工艺与化学溶液法制膜工艺相结合来制备的高温超导覆膜导体及其〗制备方法，属于高温超导覆膜导体及其制备领域。覆膜〖导体沿纵切面由超导保护层、YBCO超导层、CeO2缓冲层、IBAD YSZ缓冲层、金属基底组成。先在金属基带材料上制备出双轴织构】缓冲层和附加缓冲层；再在这些缓冲层材料衬底上制备YBCO超导层和失超保护层，即得到这种高温超导覆膜导体。本发明结合々了IBAD工艺成膜←质量好和化学溶液法制备成本低的优█点，能够在合适的柔性金属衬底上制备出具有均匀超导电≡流分布的高温超导覆膜导体。成膜质量好，制备成本低，在工业上有较好的实用前景。
- 专利类型发明专利
- 申请人清华大学;北京英纳超导技术有限公司;
- 发明人王三胜;韩征和;刘莉;
- 地址100084北京市海淀区北京100084－82信箱
- 申请号CN200510011756.7
- 申请时间2005年05月20日
- 申请公布号CN100395847C
- 申请公布时间2008年06月18日
- 分类号H01B12/00(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01L39/00(2006.01);
