近期向三星电子供货原子层刻蚀（ALE(Atomic layer etch)）和区域选择原子层沉积（ASD(area selective deposition)）设备.
设备由2个工艺模组和传送模组构成的 Cluster type ，工艺整合一体化程序. 拥有500℃以上高温及臭氧和等离子工艺能力,Z为开发半导体元件的次世代的设备. ALE(原子层刻蚀)设备区别ALD(原子层沉积)设备是一款可利用原子层单位刻蚀沉积膜的设备,ASD(区域选择沉积)区别ALD(原子层沉积)则是选择性指〓定区域原子层沉积的设备.
目前很多学校,研究所以及企业采用ALE和ASD工艺积极研发未来前端集成元件. 期待ALE/ASD设备对未来半导体前端技术发展有较多的贡献.
版权与免责声明：
① 凡本网注明"来源：教育装备采购网"的所有作品，版权均属于←教育装备采购网，未〓经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网〖授权的作品，应在授权范围内使用，并注明"来源：教育装备采购网"。违者本网将追究相关法律责任。
② 本网凡注明"来源：XXX（非本网）"的作品，均ζ 转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下Ψ载使用，必须保留▲本网注明的"稿件来源"，并ぷ自负版权等法律责任。
③ 如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起两周内与本网联系，否则视▂为放弃相关权利。
