霍尔效应在1879年被E.H.霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系。当电流通过个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生个横向的作用力，从而在〇导体的两端产生电压差。
霍尔效应
霍尔效应在1879年被E.H. 霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的感应效果全不同。当电流通过个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生个垂直于电子运动方向上的作用力，从而在导体的两端产生电压差。 虽然这个效应多年前就已经被大家知道并理解，但基于霍尔效应的传感器︽在材料工艺获得重大展前并不实用，直到出现了强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。根据设计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器〓或者线性传感器。
霍尔效应
不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
方便起见，假设导体为个长方体，长度分别为a,b,d，磁场垂直ab平面。电流经过ad，电流I = nqv(ad)，n为电荷密度。设霍尔电压为VH，导∮体沿霍尔电压方向的电场为VH / a。设磁场强度为B。
洛伦兹力
f=qE+qvB/c(Gauss 单位制)
电荷在横向受力为零时不在发生横向偏转，结果电流在磁◣场作用下在器件的两个侧面出现了稳定的异号电荷堆积从而形成横向霍尔电场。
本质
固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之№比就是电阻率。大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的▃空穴。
发展历程
美物理学家霍尔(Hall,Edwin Herbert,1855-1938)于1879年在实验中发现，当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做卐霍尔电势差。
在霍尔效应发现约100年后，德物理学家克利青(Klaus von Klitzing, 1943-)等在研究低温度和强磁场中的半导体时发现了量子霍尔效应，这是当代凝聚态物理学令人惊异的展之，克利青』为此获得了1985年的诺贝尔物理学奖。 之后，美籍华裔物理学家崔琦(Daniel Chee Tsui,1939- )和美物理学家劳克林(Robert B.Laughlin，1950-)、施默(Horst L. St rmer，1949-)在更强磁场下研究量↙子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发现使人们对量子现象的认识更步，他们为此获得了1998年的诺贝尔物理学奖。
近，复旦校友、斯坦福教授张晟与母校合作开展了“量子自⌒旋霍尔效应”的研究。“量子自旋霍尔效应∏”由张晟教授预言，之后被实验证实。这成果是美《科学》杂志评出的2007年十大科学展〓之。如果这效应在室温下工作，它可能导致新的低功率的“自旋电子学”计算㊣ 设备的产生。 目前工业上应用的精度的电压和电流型传感器有很多就是根据霍尔效应制成的，误差精度能达到0.1%以下
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