快3网站

  • <tr id='IHQPBm'><strong id='IHQPBm'></strong><small id='IHQPBm'></small><button id='IHQPBm'></button><li id='IHQPBm'><noscript id='IHQPBm'><big id='IHQPBm'></big><dt id='IHQPBm'></dt></noscript></li></tr><ol id='IHQPBm'><option id='IHQPBm'><table id='IHQPBm'><blockquote id='IHQPBm'><tbody id='IHQPBm'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='IHQPBm'></u><kbd id='IHQPBm'><kbd id='IHQPBm'></kbd></kbd>

    <code id='IHQPBm'><strong id='IHQPBm'></strong></code>

    <fieldset id='IHQPBm'></fieldset>
          <span id='IHQPBm'></span>

              <ins id='IHQPBm'></ins>
              <acronym id='IHQPBm'><em id='IHQPBm'></em><td id='IHQPBm'><div id='IHQPBm'></div></td></acronym><address id='IHQPBm'><big id='IHQPBm'><big id='IHQPBm'></big><legend id='IHQPBm'></legend></big></address>

              <i id='IHQPBm'><div id='IHQPBm'><ins id='IHQPBm'></ins></div></i>
              <i id='IHQPBm'></i>
            1. <dl id='IHQPBm'></dl>
              1. <blockquote id='IHQPBm'><q id='IHQPBm'><noscript id='IHQPBm'></noscript><dt id='IHQPBm'></dt></q></blockquote><noframes id='IHQPBm'><i id='IHQPBm'></i>
                教育装备采购网
                第六届图书馆论坛580*60

                C60单晶场效应管性能提高:PFN+Br-中间层的影响

                教育装备采购网 2017-10-20 15:12 围观588次

                  有机场效应晶体管(organic field—effecttransistors)作为新一代电子元器件,自1986年问世以来,引起了学术界和工业界的广泛关注。与传统的无机半导体材料相比,有机半导体具有材料来源广,制备工艺简单,可与柔性衬底兼容等优点,在众多领域具有广泛的应用。有机场效应管性能的调解可以采用两种不同的手段:一、通过化学修饰来调解分子聚集态结构与界面电荷陷阱;二、提高载流子注入电∮极的效率,通常方法为采用钙、镁等低功函数材料或采用复合电极,减小接触电√阻。

                  Science China Chemistry最近发表的一篇文章,报道了一种基于C60单晶的新型有机场效应管。通过PFN+Br-中间层的引入,大大地减小了电极与半导体层的接触电阻,提高了载◢流子注入电极的效率。其电子迁移率高达5.60cm2V-S-,阈值电压能够低至4.90V,性能远远高于没有PFN+Br-中间层的器件。

                  

                图1. C60带状晶体的形貌与晶体结构图:(a)C60晶体光学成像图;

                  (b)C60晶体的AFM形貌图;(c)C60晶体的TEM成像图;(d)C60晶体的SAED图

                  本研究采用美国Delong公司生产的超小型低电压透射电镜—LVEM5来表征C60的单晶带结构(如图1c所示),其主机采用Schottky场发射电子枪,能够提供高亮度高相干的电子束,并可直接放置于实验室的桌面上。

                  在输出曲线中可以看出,IDS与VDS具有良好线性,表现出良好饱和特性。(如图2所示)。

                  

                图2. 场效应管的性能表征:C60单晶不涂覆(a-c)/涂覆(d-f)共轭聚电极Ψ;

                  (a,d)转移曲线图;(b,e)45个器件电荷迁移率柱状图;(c,f)输出曲线图

                  LVEM5加速电压只有5KV,但可以实现1.5 nm的分辨率,纳米结构可以获得高质量的电镜照片,且直接保存Tiff格式,无需转码。无需液氮,无需专人操作管理,操作维护简单快捷,是实验室的理想选择。

                  * 展会快讯:

                  Quantum Design中国子公司参加了 10月17-22日 在 成都 举办的“2017年全国电镜年会”,欢迎各位感兴趣的老师、同学〓亲临展台,参观指导,我们随时期待与您相会!

                  * 参考文献:

                  Enhanced performance of field-effect transistors based on C60 single crystals with conjugated polyelectrolyte. Sci China Chem. April (2017) Vol.60 No.4.

                点击进入QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司展台查看更多 来源:教育装备采购网 作者:QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司 责任编辑:李瑶瑶 我要投稿
                普教会专题840*100

                相关阅读

                版权与免责声明:

                ① 凡本网注明"来源:教育装备采购网"的所有作品,版权均属于教育装备采购网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权※的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:教育装备采购网"。违者本网将追究相关法律责任。

                ② 本网凡注明"来源:XXX(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带⊙责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

                ③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

                2022云展会300*245