鹏城半导体技术（深圳）有限公司
关于鹏城半导体
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）、北京琨腾科技有●限公司以及有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
公司〓核心业务是半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造。
公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计和生产制造经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司已具有2500多平米洁净厂房，可开展半导体材料和组件的中试、生产，同时可进行半导体装备的生产和调试。
半导体材料事业部、半导体器件事业部、半导体装备事业部。
团队部分业绩分布
完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电╱子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。典型用户：浙江大学光学仪器国*家重点实验室
采用磁控溅射与等离子→体增强化学气相沉积PECVD技术，设计制造了团簇式太阳能薄膜电池中试线。典型用户：中科院电工所。
采用热丝法，设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与生产。典型用户：中国科学院金Ψ属研究所。
设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。使用单位：武汉国*家光电实验室。
设计制造了科研型的磁控溅射仪，典型用户：南方科技大学、哈尔滨工业大学、南京大学、浙江大学、南开大学、武汉理工大学¤。
设计制造了磁控溅射生产型设备，用于半导体器件的生产，典型用户：武汉光迅科技有限公司、深圳彩煌热电技术公司。
设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。典型用户：香港城市大学先进材料实验室、吉林奥来德光电材料股份有限公司。
设计制造了电子束镀膜机。典型用户：武汉理工大学、南方科技大学、中国计量大学。
设计制造了高真空电阻热蒸发镀膜机、高真空电极制备镀膜机。典型用户：苏州大学、北京大学。
公司已投放市场的部分半导体设备
|物理气相沉积（PVD）系列
磁控溅射、电子束、热蒸发镀膜机，激卐光沉积设备PLD
|化学气相沉积（CVD）系列
MOCVD、PECVD、LPCVD、微波※等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD
|超高真空系列
分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延↑系统（LMBE）
|成套设备
团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1、G2.5）
|其他
金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备
|真空镀膜机专用电源/真空镀膜机控制系统及软件
直流溅射电源、RF射频溅∑ 射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽）
控制系统及软件
团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累
2001年 与南昌大学合作
设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。
2005年 与浙江大学光学仪器国*家重点实验室合作
设计制造了第*一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。
2006年 与中国科技大学合作
设计设计超♀高温CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生长。
2007年 与兰州大学物理学院合作
设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。
2015年中科院金属研究所沈阳材料科学国*家（联合）实验室合作
制造了金刚石外∴延设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。
2017年
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。
-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。
2019年
设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。